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然而，款电随着柱间距的减小，增大的表面积也会导致死区（即重p掺杂Si表面）的增加，从而降低p-n结产生的光电压，从而降低光电流密度的增强。在WO3/pn-Si微柱阵列中，应裙随着柱密度的增加，光电流密度先增大后减小。

采用高比表面积的钛基基底，推出可以产生很强的金属-载体相互作用，对提高铂纳米簇催化剂的活性和稳定性起到了关键作用。款电这项研究提供了一个更深入的了解三维几何结构对使用定义良好的WO3/n-Si和WO3/pn-Si微柱阵列的PEC性能的影响。欢迎大家到材料人宣传科技成果并对文献进行深入解读，应裙投稿邮箱:[email protected].投稿以及内容合作可加编辑微信：cailiaorenVIP。

在9种不同的Pd-Cu合金成分中，推出Pd50Cu50（即1:1摩尔比，或仅PdCu）是最有前途的候选成分。该工作表明，款电控制质量输运条件对选择性CO2RR具有重要的意义，并为实际电极结构中的浓度梯度和产物选择性提供了合理的指导。

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通过测量斩波单色红外照明下的开路电位，推出证明WO3/pn-Si微柱阵列的光电流密度增强是由p-n结产生的光电压决定的。然后，款电为了定量的分析压电滞回线的凹陷特征，构建图3-8所示的凸结构曲线。

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经过计算并验证发现，款电在数据库中的26674种材料中，金属/绝缘体分类的准确度为86%，仅仅有2414种材料被误分类（图3-2）。应裙图3-8压电响应磁滞回线的凸壳结构示例（红色）。